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STS1DNC45

STS1DNC45

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450V,0.4A,双路N沟道MOSFET

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 450V 400mA 1.6W Surface Mount 8-SO


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STS1DNC45中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 450 V

额定电流 400 mA

针脚数 8

漏源极电阻 4.1 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 450 V

漏源击穿电压 450 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 400 mA

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 160pF @25VVds

额定功率Max 1.6 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.65 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STS1DNC45引脚图与封装图
STS1DNC45引脚图

STS1DNC45引脚图

STS1DNC45封装图

STS1DNC45封装图

STS1DNC45封装焊盘图

STS1DNC45封装焊盘图

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型号 制造商 描述 购买
STS1DNC45 ST Microelectronics 意法半导体 450V,0.4A,双路N沟道MOSFET 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STS1DNC45

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： SOIC N-Channel 450V 400mA 4.1Ω

当前型号

450V,0.4A,双路N沟道MOSFET

当前型号

型号： FQS4901TF

品牌： 飞兆/仙童

封装： SOIC N-Channel 400V 450mA 210pF

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQS4901TF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 450 mA, 400 V, 3.2 ohm, 10 V, 4 V

STS1DNC45和FQS4901TF的区别

型号： FQS4901

品牌： 飞兆/仙童

封装：

功能相似

400V双N沟道MOSFET 400V Dual N-Channel MOSFET

STS1DNC45和FQS4901的区别