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STD155N3H6

STD155N3H6

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STMICROELECTRONICS  STD155N3H6  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2 V

N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


欧时:
STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD155N3H6, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装


得捷:
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK


贸泽:
MOSFET Nchannel 30 V 2.5 m Ohm80A DPAK STripFET


e络盟:
STMICROELECTRONICS  STD155N3H6  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
N-Channel 30 V 3 mOhm Surface Mount DeepGATE™ Power MOSFET - TO-252-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STD155N3H6  MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 30 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2 V


力源芯城:
30V,80A,N沟道MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK


STD155N3H6中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0025 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 110 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 90 ns

输入电容Ciss 3650pF @25VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 车用, Industrial, Automotive

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STD155N3H6引脚图与封装图
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STD155N3H6 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STD155N3H6  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2 V 搜索库存
替代型号STD155N3H6
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STD155N3H6

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: DPAK N-Channel

当前型号

STMICROELECTRONICS  STD155N3H6  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2 V

当前型号

型号: STB155N3H6

品牌: 意法半导体

封装: D2PAK N-Channel

完全替代

N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

STD155N3H6和STB155N3H6的区别