STGDL6NC60DIT4中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 50000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 23 ns
额定功率Max 50 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
STGDL6NC60DIT4引脚图与封装图
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在线购买STGDL6NC60DIT4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STGDL6NC60DIT4 | ST Microelectronics 意法半导体 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 50000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号STGDL6NC60DIT4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STGDL6NC60DIT4 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-252-3 50000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 50000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 |
| 型号： IRG4RC10SDTRPBF 品牌： 国际整流器 封装： DPAK 38W | 功能相似 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3Pin2+Tab DPAK T/R | STGDL6NC60DIT4和IRG4RC10SDTRPBF的区别 |