STB5NK50Z-1中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 1.5 Ω
极性 N-CH
耗散功率 70 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 4.4A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 535pF @25VVds
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 8.95 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STB5NK50Z-1引脚图与封装图
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在线购买STB5NK50Z-1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STB5NK50Z-1 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道500V - 1.22Ω - 4.4A TO- 220 / FP -D / IPAK - D2 / I2PAK齐纳保护的超网MOSFET ？ N-CHANNEL 500V - 1.22Ω - 4.4A TO-220/FP-D/IPAK-D2/I2PAK Zener-Protected SuperMESH™MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STB5NK50Z-1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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