STB6N52K3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 70W Tc
漏源极电压Vds 525 V
连续漏极电流Ids 5A
输入电容Ciss 670pF @50VVds
额定功率Max 70 W
耗散功率Max 70W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STB6N52K3引脚图与封装图
暂无图片
替代型号STB6N52K3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STB6N52K3 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： D2PAK N-CH 525V 5A | 当前型号 | 525V,1Ω,5A,N沟道功率MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STD6N62K3 品牌： 意法半导体 封装： TO-252 N-Channel 620V 5.5A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD6N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 620 V, 0.95 ohm, 10 V, 3.75 V | STB6N52K3和STD6N62K3的区别 |
| 型号： STB6N62K3 品牌： 意法半导体 封装： TO-263-3 N-Channel 620V 5.5A | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | STB6N52K3和STB6N62K3的区别 |
| 型号： STB9NK70ZT4 品牌： 意法半导体 封装： TO-263-3 N-Channel 700V 7.5A 1.2ohms | 功能相似 | N沟道700V - 1欧姆 - 7.5A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL 700V - 1ohm - 7.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET | STB6N52K3和STB9NK70ZT4的区别 |