
STL66DN3LLH5中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 72 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 78.5A
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 1500pF @25VVds
额定功率Max 72 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 72000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerVDFN-8
外形尺寸
封装 PowerVDFN-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STL66DN3LLH5引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STL66DN3LLH5 | ST Microelectronics 意法半导体 | 30V,5.9mΩ,20A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |