锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

STB31N65M5

STB31N65M5

数据手册.pdf

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。


得捷:
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK


立创商城:
STB31N65M5


欧时:
### N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。


贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
STB31N65M5 系列 N 沟道 650 V 0.148 Ohm MDmesh™ V 功率 Mosfet -D2PAK-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**MOSFET 650V 124mOhm 22A TO-263 **


力源芯城:
650V,22A,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK


STB31N65M5中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 150 W

漏源极电压Vds 650 V

输入电容Ciss 1865pF @100VVds

额定功率Max 150 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

STB31N65M5引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STB31N65M5
型号 制造商 描述 购买
STB31N65M5 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 搜索库存