STS5N15F4中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 57 mΩ
耗散功率 2.5 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
上升时间 5.1 ns
输入电容Ciss 2710pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 11.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STS5N15F4引脚图与封装图
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在线购买STS5N15F4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STS5N15F4 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道150 V， 0.057Î © ， 5 A， SO - 8 STripFETâ ?? ¢ DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 150 V, 0.057Ω, 5 A, SO-8 STripFET⢠DeepGATE⢠Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STS5N15F4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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