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STB34NM60N

STB34NM60N

数据手册.pdf

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK


欧时:
### N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS


艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then STMicroelectronics&s; STB34NM60N power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 210000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with mdmesh ii technology.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


力源芯城:
600V,31.5A,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK


STB34NM60N中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.092 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 210 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 29A

上升时间 34 ns

输入电容Ciss 2722pF @100VVds

下降时间 70 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

STB34NM60N引脚图与封装图
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STB34NM60N ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 搜索库存