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STL120N2VH5

STL120N2VH5

数据手册.pdf

N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


得捷:
MOSFET N-CH 20V 120A POWERFLAT


欧时:
STMicroelectronics STripFET V 系列 Si N沟道 MOSFET STL120N2VH5, 120 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerFLAT封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 20V 0.002 Ohm 28A STripFET V MOS


艾睿:
This STL120N2VH5 power MOSFET from STMicroelectronics can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 80000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This device utilizes stripfet technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 120A 8-Pin Power Flat T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 120A 8-Pin Power Flat T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 20V 120A POWERFLAT56


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 120A POWERFLAT56


STL120N2VH5中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.002 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 80 W

阈值电压 700 mV

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

上升时间 60 ns

输入电容Ciss 4660pF @15VVds

额定功率Max 80 W

下降时间 55 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 80W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerSMD-8

外形尺寸

长度 4.75 mm

宽度 5.75 mm

高度 0.88 mm

封装 PowerSMD-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STL120N2VH5引脚图与封装图
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STL120N2VH5 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 搜索库存