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STGD18N40LZT4

STGD18N40LZT4

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STGD18N40LZT4  单晶体管, IGBT, 25 A, 1.35 V, 125 W, 390 V, TO-252, 3 引脚

IGBT 分立,STMicroelectronics


得捷:
IGBT 420V 25A 125W DPAK


欧时:
STMicroelectronics STGD18N40LZT4 N沟道 IGBT, Vce=420 V, 30 A, 1MHz, 3引脚 DPAK TO-252封装


立创商城:
125W 420V 25A


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125000mW Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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Trans IGBT Chip N-CH 360V 25A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
STGD18N40LZ 系列 420 V 25 A 内部钳位 PowerMesh IGBT - TO-252


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Trans IGBT Chip N-CH 360V 25A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125000mW Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


儒卓力:
**IGBT 400V 24A 1.7V TO252-3 **


DeviceMart:
IGBT 400V 25A DPAK


STGD18N40LZT4中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 125 W

击穿电压集电极-发射极 420 V

额定功率Max 125 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 车用, Power Management, Automotive, Automotive, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/06/16

海关信息

ECCN代码 EAR99

STGD18N40LZT4引脚图与封装图
STGD18N40LZT4引脚图

STGD18N40LZT4引脚图

STGD18N40LZT4封装焊盘图

STGD18N40LZT4封装焊盘图

在线购买STGD18N40LZT4
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STGD18N40LZT4 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STGD18N40LZT4  单晶体管, IGBT, 25 A, 1.35 V, 125 W, 390 V, TO-252, 3 引脚 搜索库存