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STL13DP10F6

STL13DP10F6

数据手册.pdf

N 沟道 100 V 3.3 A 0.136 Ohm STripFET VI DeepGATE Mosfet - PPAK SO-8

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 100V 13A 62.5W Surface Mount PowerFlat™ 5x6


得捷:
MOSFET 2P-CH 100V 13A PWRFLAT56


贸泽:
MOSFET Dual P-channel 100 V, 0.136 Ohm typ., 3.3 A STripFETTM VI DeepGATETM Power MOSFET in a PowerFLATTM 5x6 double island


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 100V 13A 8-Pin Power Flat T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 100V 13A 8-Pin PowerFLAT T/R


富昌:
N-沟道 100 V 3.3 A 180 mOhm STripFET VI DeepGATE Mosfet - PowerFLAT


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 100V 13A 8-Pin Power Flat T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 100V 13A 8-Pin Power Flat T/R


STL13DP10F6中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 4 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 13A

上升时间 4.8 ns

输入电容Ciss 864pF @25VVds

额定功率Max 62.5 W

下降时间 4.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 62500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerFLAT-5x6-8

外形尺寸

高度 0.81 mm

封装 PowerFLAT-5x6-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STL13DP10F6引脚图与封装图
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STL13DP10F6 ST Microelectronics 意法半导体 N 沟道 100 V 3.3 A 0.136 Ohm STripFET VI DeepGATE Mosfet - PPAK SO-8 搜索库存