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STL90N10F7

STL90N10F7

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N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 100V 70A POWERFLAT


立创商城:
N沟道 100V 70A


欧时:
STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STL90N10F7, 70 A, Vds=100 V, 8引脚 Power Flat封装


贸泽:
MOSFET N-CH 100V 0.009Ohm 16A STripFET VII


艾睿:
Thanks to STMicroelectronics, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the STL90N10F7 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 100000 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This device is made with stripfet technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 8-Pin PowerFlat T/R


富昌:
N-Channel 100 V 0.008 Ω 45 nC Surface Mount Power MosFet - PowerFLAT 5x6


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 8-Pin Power Flat T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 8-Pin Power Flat T/R


儒卓力:
**N-CH 100V 16A 9,5mOhm PFLAT5x6 **


力源芯城:
100V,7mΩ,16A,N沟道功率MOSFET


STL90N10F7中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 5 W

阈值电压 3 V

输入电容 3100 pF

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 32 ns

输入电容Ciss 3550pF @50VVds

额定功率Max 100 W

下降时间 13 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 5W Ta, 100W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerFLAT-5x6-8

外形尺寸

长度 5.4 mm

宽度 6.35 mm

高度 0.95 mm

封装 PowerFLAT-5x6-8

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

STL90N10F7引脚图与封装图
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STL90N10F7 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 搜索库存