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STH320N4F6-6

STH320N4F6-6

数据手册.pdf

N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


立创商城:
STH320N4F6-6


得捷:
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6


欧时:
### N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


艾睿:
In addition to amplifying electronic signals, you&s;ll be able to switch between various lines with the STH320N4F6-6 power MOSFET, developed by STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 300000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with stripfet technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 200A 7-Pin H2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive 7-Pin6+Tab H2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive 7-Pin6+Tab H2PAK T/R


STH320N4F6-6中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 340 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 200A

上升时间 98 ns

输入电容Ciss 13800pF @15VVds

下降时间 95 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TO-263-7

外形尺寸

长度 15.25 mm

宽度 10.4 mm

高度 4.8 mm

封装 TO-263-7

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

STH320N4F6-6引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STH320N4F6-6 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 搜索库存