STGB6NC60HDT4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 15.0 A
极性 N-Channel
耗散功率 62500 mW
上升时间 5.00 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 21 ns
额定功率Max 56 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 62500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
宽度 9.35 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
STGB6NC60HDT4引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STGB6NC60HDT4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STGB6NC60HDT4 | ST Microelectronics 意法半导体 | STGB6NC60HD 系列 600 V 15 A N 沟道 极快速 PowerMESH IGBT - D2PAK | 搜索库存 |