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STB18N60M2

STB18N60M2

数据手册.pdf

MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics

STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。


欧时:
### N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK


贸泽:
MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2


艾睿:
Thanks to STMicroelectronics, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the STB18N60M2 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 110000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes mdmesh technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin D2PAK T/R


富昌:
N沟道 600 V 110 W 13 A 280 mΩ 表面贴装 功率 Mosfet - TO-263-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


力源芯城:
600V,0.255Ω,13A,N沟道功率MOSFET


STB18N60M2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.28 Ω

耗散功率 110 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 791pF @100VVds

额定功率Max 110 W

下降时间 10.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STB18N60M2引脚图与封装图
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