STL50NH3LL中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 27.0 A
漏源极电阻 13.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 60W Tc
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±16.0 V
连续漏极电流Ids 27.0 A
输入电容Ciss 965pF @25VVds
额定功率Max 4 W
耗散功率Max 60W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PowerVDFN-8
外形尺寸
封装 PowerVDFN-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STL50NH3LL引脚图与封装图
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在线购买STL50NH3LL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STL50NH3LL | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道30V - 0.011 - 13A - PowerFLAT （引脚6x5 ）超低栅极电荷的STripFET功率MOSFET N-channel 30V - 0.011 - 13A - PowerFLAT 6x5 Ultra low gate charge STripFET Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STL50NH3LL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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