STB20N65M5中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
耗散功率 130 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
输入电容Ciss 1434pF @100VVds
额定功率Max 130 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 130W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STB20N65M5引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STB20N65M5 | ST Microelectronics 意法半导体 | 650V,0.160Ω,18A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |