STL35N15F3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 35.5 mΩ
耗散功率 80 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 1905pF @25VVds
额定功率Max 80 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 80W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerFLAT-5x6-8
外形尺寸
封装 PowerFLAT-5x6-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STL35N15F3引脚图与封装图
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在线购买STL35N15F3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STL35N15F3 | ST Microelectronics 意法半导体 | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 8Pin Power Flat T/R | 搜索库存 |
替代型号STL35N15F3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STL35N15F3 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： PowerFLAT | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 8Pin Power Flat T/R | 当前型号 |
| 型号： H5015 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 10A ID, 150V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 6 X 5 MM, ROHS COMPLIANT AND HALOGEN FREE, PLASTIC, QFN-8 | STL35N15F3和H5015的区别 |