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STL23NS3LLH7

STL23NS3LLH7

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N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


得捷:
MOSFET N-CH 30V 92A POWERFLAT


欧时:
### N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET N-channel 30 V, 0.0027 Ohm typ., 23 A STripFETTM VII DeepGATETM Power MOSFET plus monolithic Schottky in a PowerFLATTM 3.3 x 3.3


艾睿:
Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The STL23NS3LLH7 power MOSFET from STMicroelectronics provides the solution. Its maximum power dissipation is 50000 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This device is made with stripfet vii deepgate technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power FLAT T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power Flat EP T/R


儒卓力:
**N-CH 30V 23A 3,7mOhm PFL3x3 **


STL23NS3LLH7中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 2.7 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 50 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 23A

上升时间 33 ns

输入电容Ciss 2100pF @15VVds

下降时间 7.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.9W Ta, 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerFLAT-8

外形尺寸

长度 3.25 mm

宽度 3.1 mm

高度 0.9 mm

封装 PowerFLAT-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

STL23NS3LLH7引脚图与封装图
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STL23NS3LLH7 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 搜索库存