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STF3NK80Z

STMICROELECTRONICS  STF3NK80Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 800 V, 4.5 ohm, 10 V, 3.75 V

The is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST"s well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications. This MOSFET complements ST full range of high voltage MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.

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100% Avalanche tested
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Very low intrinsic capacitance
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Very good manufacturing repeatability
STF3NK80Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 2.50 A

额定功率 25 W

针脚数 3

漏源极电阻 4.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 25 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 2.50 A

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 485pF @25VVds

额定功率Max 25 W

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, Industrial, Power Management, 工业, Industrial, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

STF3NK80Z引脚图与封装图
STF3NK80Z引脚图

STF3NK80Z引脚图

STF3NK80Z封装图

STF3NK80Z封装图

STF3NK80Z封装焊盘图

STF3NK80Z封装焊盘图

在线购买STF3NK80Z
型号 制造商 描述 购买
STF3NK80Z ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STF3NK80Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 800 V, 4.5 ohm, 10 V, 3.75 V 搜索库存
替代型号STF3NK80Z
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STF3NK80Z

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-220FP N-Channel 800V 2.5A 4.5Ω

当前型号

STMICROELECTRONICS  STF3NK80Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 800 V, 4.5 ohm, 10 V, 3.75 V

当前型号

型号: STP4NK60ZFP

品牌: 意法半导体

封装: TO-220FP N-Channel 600V 4A

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STMICROELECTRONICS  STP4NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 V

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型号: STP6NK60ZFP

品牌: 意法半导体

封装: TO-220FP N-Channel 600V 6A

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型号: STP7NK80ZFP

品牌: 意法半导体

封装: TO-220FP N-Channel 800V 5.2A 1.8Ω

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