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STL30N10F7

STL30N10F7

数据手册.pdf

STL30N10F7 系列 100 V 0.035 Ohm N 沟道 功率 Mosfet - PowerFLAT™ 5x6

表面贴装型 N 通道 100 V 30A(Tc) 75W(Tc) PowerFlat™(5x6)


得捷:
MOSFET N-CH 100V 30A POWERFLAT


欧时:
MOSFET N-Ch 100V 8A STripFET PowerFLAT8


立创商城:
N沟道 100V 30A


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MOSFET N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII


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STL30N10F7中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 75 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 30A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 920pF @50VVds

额定功率Max 75 W

下降时间 4.6 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 75W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerFLAT-5x6-8

外形尺寸

封装 PowerFLAT-5x6-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

STL30N10F7引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STL30N10F7 ST Microelectronics 意法半导体 STL30N10F7 系列 100 V 0.035 Ohm N 沟道 功率 Mosfet - PowerFLAT™ 5x6 搜索库存