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STP4N80K5

N 通道 MDmesh™ K5 系列,SuperMESH5™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ K5 系列,SuperMESH5™, STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 Si N沟道 MOSFET STP4N80K5, 3 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装


得捷:
MOSFET N-CH 800V 3A TO220


立创商城:
STP4N80K5


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 800 V, 3 A, 2.1 ohm, TO-220AB, 通孔


艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this STP4N80K5 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 60000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device utilizes supermesh technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin TO-220 Tube


富昌:
单 N沟道 800 V 60 W 3 A 2.5 Ω 法兰安装 功率 MosFET - TO-220AB


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Win Source:
Ultra low gate charge | MOSFET N-CH 800V 3A TO-220AB


STP4N80K5中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 2.1 Ω

极性 N-CH

耗散功率 60 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 3A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 175pF @100VVds

下降时间 21 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

STP4N80K5引脚图与封装图
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