STB75NH02LT4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 24.0 V
额定电流 75.0 A
漏源极电阻 8.00 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 80W Tc
漏源极电压Vds 24 V
漏源击穿电压 24.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 75.0 A
输入电容Ciss 2050pF @15VVds
额定功率Max 80 W
耗散功率Max 80W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
STB75NH02LT4引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STB75NH02LT4 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道24V - 0.0062ohm - 60A - D2PAK的STripFET TM III功率MOSFET N-Channel 24V - 0.0062ohm - 60A - D2PAK STripFET TM III Power MOSFET | 搜索库存 |