STB150N3LH6中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 3 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 110 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 85 ns
输入电容Ciss 3800pF @25VVds
下降时间 40 ns
耗散功率Max 110W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STB150N3LH6引脚图与封装图
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| STB150N3LH6 | ST Microelectronics 意法半导体 | D2PAK N-CH 30V 80A | 搜索库存 |