STB200NF04T4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 120 A
漏源极电阻 3.70 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 310000 mW
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 120 A
上升时间 320 ns
输入电容Ciss 5100pF @25VVds
额定功率Max 310 W
下降时间 120 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STB200NF04T4引脚图与封装图 
STB200NF04T4引脚图
STB200NF04T4封装图
STB200NF04T4封装焊盘图
在线购买STB200NF04T4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STB200NF04T4 | ST Microelectronics 意法半导体 | N 通道 STripFET™，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | 搜索库存 |
替代型号STB200NF04T4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STB200NF04T4 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： D2PAK N-Channel 40V 120A 3.7mΩ | 当前型号 | N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | 当前型号 |
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