STB34N50DM2AG中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 190W Tc
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 26A
上升时间 11.5 ns
输入电容Ciss 1850pF @100VVds
下降时间 8.1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
STB34N50DM2AG引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STB34N50DM2AG | ST Microelectronics 意法半导体 | D2PAK N-CH 500V 26A | 搜索库存 |