锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
STP80NF10FP

STP80NF10FP

数据手册.pdf

N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ，STMicroelectronics


欧时:
### N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 100V 38A TO220FP


立创商城:
STP80NF10FP


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 40 A, 0.012 ohm, TO-220FP, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


富昌:
N-Channel 100 V 15 mΩ Flange Mount STripFET™ II Power Mosfet - TO-220FP


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 45W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


儒卓力:
**N-CH 100V 38A 15mOhm TO220FP **


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 38A TO-220FP


STP80NF10FP中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 80.0 A

额定功率 45 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.012 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 45 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 40.0 A

上升时间 80 ns

输入电容Ciss 4300pF @25VVds

额定功率Max 45 W

下降时间 60 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, Communications & Networking, 工业, Industrial, 通信与网络, 计算机和计算机周边, Computers & Computer Peripherals, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STP80NF10FP引脚图与封装图
STP80NF10FP引脚图

STP80NF10FP引脚图

STP80NF10FP封装图

STP80NF10FP封装图

STP80NF10FP封装焊盘图

STP80NF10FP封装焊盘图

在线购买STP80NF10FP
型号 制造商 描述 购买
STP80NF10FP ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics 搜索库存
替代型号STP80NF10FP
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STP80NF10FP

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-220FP N-Channel 100V 40A

当前型号

N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

当前型号

型号： FQPF70N10

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-220-3 N-Channel 100V 35A 23mohms

功能相似

QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

STP80NF10FP和FQPF70N10的区别

型号： FQPF90N10V2

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-220-3 N-Channel 100V 90A 10mohms

功能相似

100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET

STP80NF10FP和FQPF90N10V2的区别

型号： FQPF55N10

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-220F N-Channel 100V 34.2A 26mohms

功能相似

100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET

STP80NF10FP和FQPF55N10的区别