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STB40N60M2

STB40N60M2

数据手册.pdf

600V,34A,N沟道功率MOSFET

表面贴装型 N 通道 600 V 34A(Tc) 250W(Tc) D²PAK(TO-263)


得捷:
MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK


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N沟道 600V 34A


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MOSFET POWER MOSFET


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晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 600 V, 0.078 ohm, 10 V, 3 V


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Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


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Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin D2PAK T/R


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N 沟道 600 V 88 mΩ 250 W 表面贴装 MDmesh II Plus Mosfet - D2PAK


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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 250W; D2PAK


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600V,34A,N沟道功率MOSFET


STB40N60M2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 88 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 250 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 34A

上升时间 13.5 ns

输入电容Ciss 2500pF @100VVds

额定功率Max 250 W

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STB40N60M2引脚图与封装图
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