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STFW4N150

STMICROELECTRONICS  STFW4N150  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1.5 kV, 5 ohm, 10 V, 4 V

N 通道 MDmesh™,800V/1500V,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 1500V 4A ISOWATT


立创商城:
N沟道 1.5kV 4A


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STFW4N150, 4 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-3PF封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 63W; TO3PF


Verical:
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 4 A, 1.5 kV, 5 ohm, 10 V, 4 V


儒卓力:
**N-CH 1.5kV 4A 7Ohm TO3-PF **


力源芯城:
1500V,4A,N沟道MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 1500V 4A TO3PF


STFW4N150中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 63 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 1.5 kV

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 1300pF @25VVds

额定功率Max 63 W

下降时间 45 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 63W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.7 mm

宽度 5.7 mm

高度 26.7 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/06/16

海关信息

ECCN代码 EAR99

STFW4N150引脚图与封装图
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在线购买STFW4N150
型号 制造商 描述 购买
STFW4N150 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STFW4N150  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1.5 kV, 5 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存
替代型号STFW4N150
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STFW4N150

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO N-Channel

当前型号

STMICROELECTRONICS  STFW4N150  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1.5 kV, 5 ohm, 10 V, 4 V

当前型号

型号: STW4N150

品牌: 意法半导体

封装: TO-247 N-Channel 1.5kV 4A 7Ω 1.3nF

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STFW4N150和STW4N150的区别