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STB80NF55-06T4

STB80NF55-06T4

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STB80NF55-06T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 3 V

The is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The device has extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

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Exceptional dV/dt capability
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100% Avalanche tested
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Application oriented characterization
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-55 to 175°C Operating junction temperature
STB80NF55-06T4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 80.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.005 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 155 ns

输入电容Ciss 4400pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 65 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial, 工业, Power Management, Industrial, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

STB80NF55-06T4引脚图与封装图
STB80NF55-06T4引脚图

STB80NF55-06T4引脚图

STB80NF55-06T4封装图

STB80NF55-06T4封装图

STB80NF55-06T4封装焊盘图

STB80NF55-06T4封装焊盘图

在线购买STB80NF55-06T4
型号 制造商 描述 购买
STB80NF55-06T4 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STB80NF55-06T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号STB80NF55-06T4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STB80NF55-06T4

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-263 N-Channel 55V 80A 6.5mΩ

当前型号

STMICROELECTRONICS  STB80NF55-06T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号： SPB80N06S2-H5

品牌： 英飞凌

封装： TO-263-3 N-CH 55V 80A 550pF

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