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STB42N60M2-EP

STB42N60M2-EP

数据手册.pdf

Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

N-Channel 600V 34A Tc 250W Tc Surface Mount D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK


立创商城:
STB42N60M2-EP


艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this STB42N60M2-EP power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 250000 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with mdmesh m2 technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


STB42N60M2-EP中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 250 W

上升时间 9.5 ns

输入电容Ciss 2370pF @100VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

STB42N60M2-EP引脚图与封装图
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STB42N60M2-EP ST Microelectronics 意法半导体 Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3Pin2+Tab D2PAK T/R 搜索库存