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STFW24N60M2

STFW24N60M2

数据手册.pdf

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 18A TO3PF


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STFW24N60M2, 18 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-3PF封装


贸泽:
MOSFET POWER MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin3+Tab TO-3PF Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin TO-3PF Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 18A TO3PF / N-Channel 600 V 18A Tc 48W Tc Through Hole TO-3PF


STFW24N60M2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 190 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 48 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 18A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 1060pF @100VVds

额定功率Max 48 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 48W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.7 mm

宽度 5.7 mm

高度 26.7 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

STFW24N60M2引脚图与封装图
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STFW24N60M2 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 搜索库存