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STP16N65M5

STP16N65M5

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STP16N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 650 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 V

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。


欧时:
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STP16N65M5, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装


得捷:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3


立创商城:
N沟道 650V 12A


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 650 V, 12 A, 0.23 ohm, TO-220, 通孔


艾睿:
This STP16N65M5 power MOSFET from STMicroelectronics can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 90000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with mdmesh v technology.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
STP16N65M5 系列 N 沟道 650 V 0.299 Ohm MDmesh™ V 功率 Mosfet - TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 25W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 12 A, 650 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 V


儒卓力:
**N-CH 650V 12A 279mOhm TO220 **


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220


STP16N65M5中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.23 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 25 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 12A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 1250pF @100VVds

额定功率Max 90 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STP16N65M5引脚图与封装图
STP16N65M5引脚图

STP16N65M5引脚图

STP16N65M5封装图

STP16N65M5封装图

STP16N65M5封装焊盘图

STP16N65M5封装焊盘图

在线购买STP16N65M5
型号 制造商 描述 购买
STP16N65M5 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STP16N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 650 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存
替代型号STP16N65M5
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STP16N65M5

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 650V 12A

当前型号

STMICROELECTRONICS  STP16N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 650 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 V

当前型号

型号: STU16N65M5

品牌: 意法半导体

封装: IPAK N-Channel 650V 12A

完全替代

N沟道 650V 12A

STP16N65M5和STU16N65M5的区别

型号: IPP60R299CP

品牌: 英飞凌

封装: TO-220 N-Channel 650V 11A

功能相似

INFINEON  IPP60R299CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V

STP16N65M5和IPP60R299CP的区别

型号: SIHP12N60E-GE3

品牌: 威世

封装: TO-220-3 N-Channel 600V 12A 380mΩ

功能相似

N 通道 MOSFET,E 系列,低品质因数,Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管,具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 PFC 和开关模式电源 SMPS。### 特点低灵敏值 FOM RDSon x Qg 低输入电容 Ciss 低接通电阻(RDS(接通)) 超低栅极电荷 Qg 快速切换 减少切换和传导损耗### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

STP16N65M5和SIHP12N60E-GE3的区别