STH185N10F3-6中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 315W Tc
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 97.1 ns
输入电容Ciss 6665pF @25VVds
下降时间 6.9 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 315W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TO-263-7
外形尺寸
长度 15.25 mm
封装 TO-263-7
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
STH185N10F3-6引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STH185N10F3-6 | ST Microelectronics 意法半导体 | N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronics STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | 搜索库存 |