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STU5N60M2

N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics

STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。


得捷:
MOSFET N-CH 600V 3.7A IPAK


欧时:
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STU5N60M2, 3.5 A, Vds=650 V, 3引脚 IPAK TO-251封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 1.26Ohm typ. 3.7A MDmesh M2


艾睿:
In addition to amplifying electronic signals, you&s;ll be able to switch between various lines with the STU5N60M2 power MOSFET, developed by STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 45000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device is made with mdmesh ii technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin IPAK Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 3.7A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 3.5A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


STU5N60M2中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 1.4 Ω

极性 N-CH

耗散功率 45 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 3.7A

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 165pF @100VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 2.4 mm

高度 6.2 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STU5N60M2引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STU5N60M2 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 搜索库存