STD10NM60N
数据手册.pdfSTMICROELECTRONICS STD10NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V
是一款MDmesh™ II N沟道功率MOSFET, 低输入电容和栅极电荷。该器件采用第二代MDmesh™技术开发。该器件具有竖直结构, 低导通电阻。适用于要求苛刻的高效率转换器应用。
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- 100％经过雪崩测试
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- 低栅极输入电阻
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MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
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MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 10A
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N-Channel 650 V 0.6 Ω 70 W 20 nC Surface Mount Mosfet - TO-252
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# STMICROELECTRONICS STD10NM60N MOSFET Transistor, N Channel, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V
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