STP13NK50Z中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.4 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 140 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 11A
上升时间 23 ns
输入电容Ciss 1600pF @25VVds
下降时间 24 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 140W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
STP13NK50Z引脚图与封装图
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在线购买STP13NK50Z
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STP13NK50Z | ST Microelectronics 意法半导体 | N型沟道500伏， 0.40 Ω ， 11 A TO - 220，TO- 220FP ，TO- 247齐纳保护SuperMESHTM功率MOSFET N-channel 500 V, 0.40 Ω, 11 A TO-220, TO-220FP, TO-247 Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STP13NK50Z
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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