锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

STL6N3LLH6

STL6N3LLH6

数据手册.pdf

N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 30V POWERFLAT


欧时:
### N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET N-Ch 30 V 0.021 Ohm 6 A STripFET VI DG


艾睿:
As an alternative to traditional transistors, the STL6N3LLH6 power MOSFET from STMicroelectronics can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 2400 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with stripfet technology.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin PowerFLAT 2x2 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin Power Flat T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 6-Pin Power Flat T/R


STL6N3LLH6中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 2.4 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 6A

上升时间 11.2 ns

输入电容Ciss 283pF @24VVds

下降时间 5.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.4W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 PowerFLAT-2x2-6

外形尺寸

长度 2.1 mm

宽度 2.1 mm

高度 0.75 mm

封装 PowerFLAT-2x2-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

STL6N3LLH6引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STL6N3LLH6
型号 制造商 描述 购买
STL6N3LLH6 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 搜索库存