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STP20NM60FP

STP20NM60FP

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STP20NM60FP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 250 mohm, 30 V, 4 V

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STP20NM60FP, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装


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N沟道 600V 20A


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MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP


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STP20NM60FP 系列 N 沟道 600 V 0.29 Ω MDMesh 功率 Mosfet - TO-220FP


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# STMICROELECTRONICS  STP20NM60FP  Power MOSFET, N Channel, 20 A, 600 V, 250 mohm, 10 V, 4 V


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**N-CH 600V 20A 290mOhm TO220FP **


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N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh Power MOSFET


STP20NM60FP中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 20.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.25 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 45 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 1500pF @25VVds

额定功率Max 45 W

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STP20NM60FP引脚图与封装图
STP20NM60FP引脚图

STP20NM60FP引脚图

STP20NM60FP封装图

STP20NM60FP封装图

STP20NM60FP封装焊盘图

STP20NM60FP封装焊盘图

在线购买STP20NM60FP
型号 制造商 描述 购买
STP20NM60FP ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STP20NM60FP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 250 mohm, 30 V, 4 V 搜索库存
替代型号STP20NM60FP
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STP20NM60FP

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-220FP N-Channel 600V 80A

当前型号

STMICROELECTRONICS  STP20NM60FP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 250 mohm, 30 V, 4 V

当前型号

型号: STF20NM60D

品牌: 意法半导体

封装: TO-220FP

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