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STF18N55M5

STF18N55M5

数据手册.pdf

550V,13A,N沟道MOSFET

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 550V 16A TO220FP


欧时:
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 STF18N55M5, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220FP封装


贸泽:
MOSFET N-ch 550 V 0.18 Ohm 13 A MDmesh


艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this STF18N55M5 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 25000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with mdmesh technology.


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 550V 16A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


力源芯城:
550V,13A,N沟道MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 550V 13A TO220FP


STF18N55M5中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.18 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 25 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 550 V

上升时间 9.5 ns

输入电容Ciss 1260pF @100VVds

额定功率Max 25 W

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 16.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STF18N55M5引脚图与封装图
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STF18N55M5 ST Microelectronics 意法半导体 550V,13A,N沟道MOSFET 搜索库存
替代型号STF18N55M5
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STF18N55M5

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-220-3 N-Channel

当前型号

550V,13A,N沟道MOSFET

当前型号

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封装: TO-220-3 N-Channel

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