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STD45N10F7

STD45N10F7

数据手册.pdf

100V,45A,N沟道功率MOSFET

N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


得捷:
MOSFET N-CH 100V 45A DPAK


立创商城:
N沟道 100V 45A


欧时:
N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


艾睿:
This STD45N10F7 power MOSFET from STMicroelectronics can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 60000 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This device is made with stripfet vii technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 45A 3-Pin DPAK T/R


富昌:
N-Channel 100 V 0.018 Ohm Surface Mount Power Mosfet - DPAK-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 45A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 45A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


儒卓力:
**N-CH 100V 45A 13mOhm TO252 **


力源芯城:
100V,45A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 45A DPAK


STD45N10F7中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 60 W

输入电容 1640 pF

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 1640pF @50VVds

额定功率Max 60 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

STD45N10F7引脚图与封装图
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