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STD20NF06LT4

STD20NF06LT4

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STMICROELECTRONICS  STD20NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 V

N 通道 STripFET™，STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD20NF06LT4, 24 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


得捷:
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK


立创商城:
N沟道 60V 24A


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Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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N-ch 60V - 0.032Ω - 24A - STripFET II Power MOSFET


富昌:
TO 252 DPAK


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Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 60W; DPAK


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Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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# STMICROELECTRONICS  STD20NF06LT4  MOSFET Transistor, N Channel, 24 A, 60 V, 32 mohm, 10 V, 2.5 V


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**N-CH 60V 24A 40mOhm TO252-3 **


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60V,0.032Ω,24A,N沟道功率MOSFET


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MOSFET N-CH 60V 24A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK


STD20NF06LT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 24.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.032 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 60 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±18.0 V

连续漏极电流Ids 24.0 A

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 660pF @25VVds

额定功率Max 60 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STD20NF06LT4引脚图与封装图
STD20NF06LT4引脚图

STD20NF06LT4引脚图

STD20NF06LT4封装图

STD20NF06LT4封装图

STD20NF06LT4封装焊盘图

STD20NF06LT4封装焊盘图

在线购买STD20NF06LT4
型号 制造商 描述 购买
STD20NF06LT4 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STD20NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 V 搜索库存
替代型号STD20NF06LT4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STD20NF06LT4

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-252 N-Channel 60V 24A 32mΩ

当前型号

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