STI35N65M5中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.085 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 160 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 27A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 3750pF @100VVds
额定功率Max 160 W
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 160W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
STI35N65M5引脚图与封装图
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在线购买STI35N65M5
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STI35N65M5 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道650 V， 0.085 I© ， 27 A， MDmeshâ ?? ¢在D²PAK V功率MOSFET ， TO- 220FP ， I²PAK ， TO- 220 ， TO- 247 N-channel 650 V, 0.085 Ω, 27 A, MDmesh⢠V Power MOSFET in D²PAK, TO-220FP, I²PAK, TO-220, TO-247 | 搜索库存 |
替代型号STI35N65M5
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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