STP100N8F6中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 8 mΩ
耗散功率 176 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80 V
上升时间 46 ns
输入电容Ciss 5955pF @25VVds
下降时间 21 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 176W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
STP100N8F6引脚图与封装图 
STP100N8F6引脚图
在线购买STP100N8F6
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STP100N8F6 | ST Microelectronics 意法半导体 | 80V,0.008Ohm,100A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |