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STF110N10F7

STF110N10F7

数据手册.pdf

N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 100V 45A TO220FP


欧时:
### N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 45A 3-Pin TO-220FP Tube


富昌:
N-沟道 100 V 45 A 7 mOhm STripFET VII DeepGATE 功率 Mosfet - TO-220FP


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


STF110N10F7中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 30 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 110A

上升时间 36 ns

输入电容Ciss 5117pF @50VVds

额定功率Max 30 W

下降时间 21 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 16.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STF110N10F7引脚图与封装图
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STF110N10F7 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 搜索库存