STP185N10F3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 300W Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 120A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
STP185N10F3引脚图与封装图
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在线购买STP185N10F3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STP185N10F3 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道100 V， 4.0毫欧， 120 A， D2PAK ， TO- 220的STripFET ™功率MOSFET N-channel 100 V, 4.0 mΩ, 120 A, D2PAK, TO-220 STripFET™ Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STP185N10F3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STP185N10F3 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-220-3 N-CH 100V 120A | 当前型号 | N沟道100 V， 4.0毫欧， 120 A， D2PAK ， TO- 220的STripFET ™功率MOSFET N-channel 100 V, 4.0 mΩ, 120 A, D2PAK, TO-220 STripFET™ Power MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STP180N10F3 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 | 类似代替 | N沟道100 V， 4.0毫欧， 120一个的STripFET ？功率MOSFET D2PAK ， TO- 220 N-channel 100 V, 4.0 mΩ, 120 A STripFET? Power MOSFET D2PAK, TO-220 | STP185N10F3和STP180N10F3的区别 |