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STL110N10F7

STL110N10F7

数据手册.pdf

N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT


欧时:
### N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 107 A, 0.005 ohm, PowerFLAT, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 8-Pin Power Flat T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin PowerFLAT T/R


富昌:
STL110N10F7 系列 100 V 6 mOhm 21 A N 沟道 功率 Mosfet - PowerFLAT™5x6


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 8-Pin Power Flat T/R


儒卓力:
**N-CH 100V 107A 5mOhm PFLAT5x6 **


力源芯城:
100V,5mΩ,107A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6


STL110N10F7中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

针脚数 8

漏源极电阻 0.005 Ω

极性 N-CH

耗散功率 136 W

阈值电压 2V ~ 4V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 110A

上升时间 36 ns

输入电容Ciss 5500pF @50VVds

下降时间 21 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 136W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerFLAT-5x6-8

外形尺寸

长度 5.4 mm

宽度 6.35 mm

高度 0.95 mm

封装 PowerFLAT-5x6-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 医用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

STL110N10F7引脚图与封装图
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STL110N10F7 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 搜索库存