STFW3N170

ST Microelectronics(意法半导体) 分立器件

STFW3N170 系列 1700 V 13 Ohm N-沟道 PowerMESH™ 功率 MOSFET - TO-3PF

通孔 N 通道 1700 V 2.6A（Tc） 63W（Tc） TO-3PF

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N沟道 1.7kV 2.6A

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MOSFET N-CH 1700V 2.6A ISOWATT

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Trans MOSFET N-CH 1.7KV 2.3A 3-Pin3+Tab TO-3PF Tube

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Trans MOSFET N-CH 1.7KV 2.3A 3-Pin3+Tab TO-3PF Tube

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MOSFET N-CH 1700V 2.6A

STFW3N170中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 63 W

输入电容 1100 pF

漏源极电压Vds 1700 V

连续漏极电流Ids 2.3A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 1100pF @100VVds

额定功率Max 63 W

下降时间 53 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 63W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.7 mm

高度 26.7 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STFW3N170引脚图与封装图

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