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STF28NM50N

STF28NM50N

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STF28NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V

N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics


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STF28NM50N中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.135 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 35 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 1735pF @25VVds

额定功率Max 35 W

下降时间 52 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 16.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STF28NM50N引脚图与封装图
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STF28NM50N ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STF28NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存